🎯 오늘의 테마 — 中 CXMT 4F² D램 공개 — 메모리 과점 전제가 흔들린 하루

中 메모리 반도체 기업 CXMT가 상하이 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 차세대 D램 설계 '4F²'를 공개했다. 셀 면적을 약 30% 줄여 메모리 밀도와 용량을 30~50% 늘릴 수 있는 기술로, CXMT는 자체 개발한 VSG(수직 서라운딩 게이트) 트랜지스터로 전류 누설 문제를 해결했다고 밝혔다. 증권가는 삼성전자가 같은 기술의 양산을 2028년께로 보고 있어, CXMT가 예고대로 연내 선보이면 기술 상용화 순서가 뒤바뀐다는 점에 주목했다.

💡 지금 왜 뜨나

CXMT가 셀 면적을 30% 줄이는 4F² 설계로 서버용 DDR5 D램을 연내 내놓겠다고 밝히며, 삼성전자·SK하이닉스가 2028년께 예상하던 기술을 먼저 선보일 수 있다는 공포가 번졌다

⚠️ 리스크

CXMT의 기술은 아직 데이터 리텐션·누설전류를 검증하는 평가 단계이고, 실제 양산 제품으로 증명된 적은 없다. 검증이 지연되거나 실패하면 오늘의 급락은 과잉 반응으로 남을 수 있다